外媒称中国将成立专门机构促进与半导体外企合作

　　近日，有外国媒体报道指出，中国正计划建立专门组织，用于协调和促进中国与外国企业在半导体领域展开合作。

　　据介绍，该组织名为“跨境半导体工作委员会”(cross-border semiconductorwork committee)，通过在软件、材料和制造设备方面建立研发中心等方式，推动中国和外国半导体产业的合作交流。

　　外媒报道进一步指出，该委员会鼓励外国实体通过与地方政府合作并提供资金的方式建立研发或制造基地，委员会将于2022年上半年成立。

　　关键字：半导体编辑：北极风 引用地址：外媒称中国将成立专门机构促进与半导体外企合作

　　飞 兆半 导 体公司 (Fairchild Semiconductor) 位于日本的全球功率 资 源 (Global Power Resource SM) 设计 中心 现 已 开发 出一款效率达到 90% 的 LCD TV 设计 。新 设计 通 过 使用高集成度的 FAN5069 和 N 沟道MOSFET 产 品， 将 传统 的四 层 PCB 板减少至两 层 。 该 FAN5069 在 单 一封装中 集成了一个脉 宽调 制 (PWM) 控制器和一个低 压 降 (LDO) 线 性 稳压 器，在 宽 泛的 负载电 流范 围 提供高效率。通 过 使用具有低 RDS(ON) 的低 边 MOSFET来感 测电 流，

　　6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本半导体株式会社（日本半导体）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩散MOS （Laterally Double Diffused MOS，LDMOS）的可靠性和性能。其中，LDMOS是在电机控制驱动程序等大量汽车应用中使用的模拟IC的核心组件。随着车辆电气化的持续不断的发展，包括更广泛地部署高级驾驶辅助系统（ADAS），东芝和日本半导体将可以依据所需电压提供改善的LDMOS单元设计。 （图片来自：东芝） 众所周知，设计LDMOS时经常需要在可靠性和性能间进行取舍。横向寄生双极效应通常会降低人体模型（HBM）容差。而通过增加背栅比（backgate ratio）抑制横向寄生

　　提出新方法 可优化LDMOS中的HBM容差并抑制导通电阻 /

　　近来陆企在全球多起半导体并购案受阻，工研院产经中心（IEK）认为，陆企现已改打人才战，积极在全球抢人才，并发展本土产业。 工研院产经中心（IEK）20日提出2017年十大ICT产业关键议题，人工智能、5G和虚拟现实（VR）、扩增实境（AR）均入列。 这些议题同样是近来半导体产业的热门议题，面对近年砸重金，积极发展本土半导体产业，台湾产业如何接招，成为外界关注焦点。 IEK认为，过去陆企不断透过全球并购手段取得技术跟资金，但已引起欧美官方重视，更列为国安风险。 在这种情况下，陆企最近有改打人才战的趋势，积极延揽全球人才，并全力发展本土产业；以IC设计为例，在政策利多下，大陆募资相对容易，光1年就出现700多家新创公司。 不过

　　企业分拆、购并线年以来，全球电信市场风云际会，购并重组大势波澜起伏，继AT&T连横Bellsouth、Alcatel收编Lucent后，Nokia与Siemens强强联合的“诺西网络”也已横空出世...动作频仍且其势头并无弱减的丝毫征兆，更有甚者，每每都是大手笔运作，动辄数百亿美金，实在是惹眼得厉害，也实在让人唏嘘感喟，同在媒体的一个朋友不禁叹道：今年购并格外多！ 令人瞠目的大约并不只是处于风口浪尖的电信大局，近年来一直被指为技术密集且领域相对封闭的全球半导体产业，亦总在不断的提高、不断演进过程中不失时机地、大气力地蓄积内部变革的伟大力量：从Freescale脱胎Motorola、HP抽身Agilent，Agilent再度衍生

　　2010年电源管理半导体市场的所有领域均出现增长，整体产业扩大至310亿美元，电压调节器和专用晶体管(specific transistors)等个别领域的增长率甚至高达40%以上。     去年，电源管理半导体市场中的最大领域是用于转换电子信号的MOSFET，占21%。紧随其后的是与电源管理有关的专用集成电路和专用标准产品，占20%。开关调节器排在第三位，占16%的份额，线性调节器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)各占10%。     该市场的其它领域是整流器与功率二极管、双极晶体管、电压参考器件、电源管理接口和半导体闸流管，其份额均小于10%，如图4所示。总体电源管理半导体市场为310亿美元，比上年增长4

　　ST 为学生培训用嵌入式系统开发实验室提供微控制器、开发工具和产品支持 北京， 2006 年 9 月 12 日 —— 微控制器设计开发的领导厂商意法半导体（纽约证券交易所： STM) ，今天宣布与北京邮电大学 (BUPT) 和北京交通大学 (BJTU) 签订了合作协议，分别在两所大学校园内建立一个微控制器（ MCU ）实验室，这是 ST 与中国大学携手开发嵌入式应用技术和培训 电子 工程专业学生的大规模合作计划的重要组成部分。 作为 32 位微控制器的主导厂商之一， ST 将向这两所大学提供先进的 32 位 STR7 ARM 微控制器以及开发工具，使学

　　新华社合肥1月2日电（记者 徐海涛）近期，中国科学技术大学郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在半导体量子计算芯片研究方面取得新进展。实验室郭国平研究组创新性地引入第三个量子点作为控制参数，在保证新型杂化量子比特相干性的前提下，极大地增强了杂化量子比特的可控性。国际应用物理学顶级期刊《应用物理评论》日前发表了该成果。 开发与现代半导体工艺兼容的电控量子芯片是量子计算机研制的重要方向之一。由于固态系统环境复杂，存在着电荷噪声、核磁场等各种退相干机制，不同形式的编码方式都有一定局限，比特的超快操控与长相干往往不可兼得。郭国平研究组2016年首次在砷化镓半导体双量子点芯片中实现了量子相干特性好、操控速度快、可控性强的电控新型编码量子

　　每经记者 张怀水 “如果美方不顾事实、不尊重多边贸易规则而采取损害双方经贸关系的举动，中方绝不会坐视，必将采取所有适当措施，坚决捍卫中方合法权益。”8月15日，商务部新闻发言人就14日美总统签署总统备忘录发表谈话时作上述表示。 据新华社报道，美国总统特朗普14日签署行政备忘录，指示美国贸易代表莱特希泽根据《1974年贸易法》研究决定是不是对中国与知识产权相关的贸易政策和行为发起“301调查”。此举引发外界对美国采取单边行动损害中美经贸关系的担忧。 《每日经济新闻》记者发现，“301调查”的法律依据属于美国国内法，带有强烈的单边主义色彩，在WTO框架体制确立后，“301调查”就基本被美国历届政府

　　大概率中招 /

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